Яндекс.Метрика

2.3 Монокристаллы фосфида галлия GaP

2.3 Монокристаллы фосфида галлия GaP
1. Инфракрасные оптические элементы.
 
GaP очень перспективный материал для изготовления оптических элементов в ИК-диапазоне длин волн 800 - 3000 нм. Выращивается методом Чохральского, где концентрация дефектов кристалла (ЭПД) находится в диапазоне от 100000 см2.


 

Возможные области применения:
  • высокомощная ИК-подсветка;
  • ИК сварки;
  • ИК зондирования



2. GaP Монокристалл.

Выращивание монокристаллов методом Чохральского. Возможна поставка поликристаллических слитков, как показано ниже.

В настоящее прозводятся слитки диаметром 52 мм (2 "), приблизительный вес 1 кг. Однако, мы находимся в процессе разработки технологии производства слитков диаметром 78 мм (3") и 105 мм (4 ").

Исходные параметры монокристаллы фосфида галлия:

Легирующия примесь нелегированный S Zn
Тип проводимости n n p
Концентрация носителей, см -3 ≤1x1016 1x1017 - 2x1018 2x1017 - 2x1018
Подвижность, м2/В.с ≥100 ≥60 ≥60
Плотность дислокаций, см-2 ≥2x105 ≥2x105 ≥2x105

 

Если есть вопросы свяжитесь с нами.

В этой категории нет товаров.
Работает на ocStore
НИИ МВ © 2017