Яндекс.Метрика

Материалы на основе соединений А3В5 (GaAs, GaP, InAs, InP, B2O3)

Материалы на основе соединений А3В5  (GaAs, GaP, InAs, InP, B2O3)

Разработка монокристаллов на основе соединений А3В5  (GaP, InP, GaAs, B2O3) 

GaAS SI нелегированный LEC SI – полуизолирующий 
SC – полупроводящий

Метод выращивания: 
LEC – метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава, 
CZ – метод Чохральского.
SC n-тип, p-тип LEC
GaP SC n-тип, p-тип LEC
InAs SC n-тип, p-тип LEC
InP SC n-тип, p-тип CZ
 
 

 

НИИ МВ предлагает широкий спектр полупроводниковых материалов А3В5 для электроники и оптики: арсенид галлия, фосфид галлия, арсенид индия. Материалы поставляются в виде поликристаллических слитков и монокристаллических пластин, в том числе "epi-ready" подложки (готовые для эпитаксиального наращивания), а также специальные изделия и оптические заготовки

Выберите подкатегорию

Работает на ocStore
НИИ МВ © 2017